ＳｉＣパワーデバイスは、高電圧、大電流、高周波の用途に適しており、パワーエレクトロニクス装置の高効率化、小型化に貢献する。高速で低損失である分、従来に比べてパワーモジュール内の寄生抵抗、インダクタンスの低減が重要になる。本稿では、これらの課題を改善したＳｉＣパワーモジュール（1700V-400A 2in1）について報告する。