SiC用のターミネーション構造として，SiCの高電界でも高耐圧を実現でき，界面電荷にも安定な，FLRとフィールドプレートを使った新しい高信頼ターミネーション構造であるHiRST構造を提案する。HiRST構造を適用した4H-SiCダイオードを試作し，評価した結果，高温逆バイアスの環境下で，耐圧3.3 kV以上を安定に保持することを確認した。