近年, パワーMOSFETの材料として, 従来から用いられているSiに比べ, 物性的に優位な特性を有するSiCに期待が集まっている. このSiCを用いたパワーMOSFETの特性を生かした回路設計や, 回路の動作に応じたデバイス設計を検討するためには, SiCパワーMOSFETの回路モデルが不可欠となる. 従来から用いられている閾値電圧モデルは, SiCパワーMOSFETの表現には充分ではない. 本報告では, より詳細に半導体デバイス物理に従う表面ポテンシャルモデルをSiCパワーMOSFETに適用することを試みた.