SiCモジュールはSiモジュールと比較して高速スイッチングが可能であり、高周波化、低損失化が期待されている。しかし、高速スイッチングに伴い過電圧が発生し、定格電圧を超え半導体素子及び周辺回路の破壊につながる恐れが生じる。過電圧を抑制するためには、パワーモジュール内部の寄生インダクタンスの低減が必須である。我々は3次元電磁場シミュレータを用いて、筐体から抜本的に見直した低インダクタンスモジュールを設計・試作し、インダクタンス14nHまでの低減に成功した。この結果、ターンオフ時間20nsの高速スイッチングに対応した1200V/100A 2 in 1 モジュールを開発したので報告する。