高耐圧SiC-埋め込みゲート型静電誘導トランジスタ(BGSIT)と低耐圧Si-MOSFETをカスコード接続させたバリガペアは、ゲート部がSi-MOS構造であることから駆動信号のノイズマージンが大きいという利点がある。本研究では、SiC-BGSITとSi-MOSFETバリガペアのデバイス特性を評価した。