本研究では二次電子放出係数の測定を行っており、これまでにDekkerのモデルを用いて測定結果に対する回帰計算を行ってきた。我々の測定には“真の”二次電子の他に反射電子が含まれているにも関わらず、Dekkerのモデルは“真の”二次電子のみしか考慮していないため、本研究の測定結果に対して適用できないと考えられる。そこで、Casinoモンテカルロシ法ミュレーションソフトを用いて反射電子放出係数を計算し、Dekkerのモデルに導入した。また、これまで回帰係数としていた二次電子の表面脱出確率や平均脱出深さを実験的に求め、半経験的モデルを考案したので報告する。