過去に数MeVの電子線を誘電材料であるエポキシ樹脂に照射し、材料内部の電荷分布と温度分布を測定する実験が試みられた。この実験結果においては、温度分布と電荷蓄積のピーク位置に違いが現れるメカニズムが明らかになっていない。その違いに関係するメカニズムを明らかにするために、入射電子と校正材料との相互作用を考慮したコンピュータシミュレーションを実行し、材料内部での入射電子の挙動解析を行った。シミュレーションの結果、入射電子の蓄積分布と、電子が媒質を構成する粒子と非弾性散乱を行うことで生成される二次電子の蓄積分布を取得することができた。