近年，各種パワーエレクトロニクス機器では小型化が促進し，対応する絶縁技術開発の必要性が高まっている。こうした要求に応えるためには，従来使用していたプリント基板をより高電界下で使用することが必要となってきている。また，適用先は高温高湿の海外となる事も多い。以上の観点から高電界かつ高温高湿条件での使用環境を想定し，プリント基板の耐マイグレーション性能について検討した。その結果，破壊モードは層間界面に沿った破壊とガラスクロスを介したモードに大きく2分された。また背後電極がGNDの場合には相対寿命は低下し，背後電極が＋の場合には破壊に至らなかった。