温度変化の激しい宇宙環境で運用されるため、宇宙機はMLIやOSR等の絶縁材料で覆われている。しかし、これらの表面材料は高エネルギー荷電粒子に曝されることで劣化や絶縁破壊の可能性が高まる。そこで本研究では、特に電子線照射されたフッ素系絶縁材料の空間電荷蓄積特性を評価している。本稿では、電子線照射を行ったETFEの電子線照射面に対する電極材料を高電圧電極(半導電層)および接地電極(Al)に変更した際の空間電荷挙動の比較を行った。両結果において、電圧印加直後から試料内部に正電荷の蓄積が観測されたものの電極材料を変更した場合、正電荷蓄積量が変化し、空間電荷挙動に差異が生じたので報告する。