半導体電力変換装置の高電力密度化にはインダクタ損失の正確な把握が必要である。筆者らはB-Hアナライザと降圧チョッパを用いて直流電流バイアス下での鉄損の高精度計測手法を開発した。しかし，その計測電力は20 A，100 Vが上限であった。そこで，さらに低消費電力で電力の大きなインダクタの鉄損計測が行える100 A，300 V定格の鉄損評価装置を開発し，インダクタ電流40 A，インダクタ電圧200 Vの条件下での鉄損の測定を行ったので報告する。