電気学会全国大会講演要旨
2-120
バイアススイッチングによる基本波型フラックスゲートの温度ドリフト抑制
○加呂 光・笹田一郎(九州大学)
フラックスゲート磁界センサは,高感度・高分解能なセンサであるが,センサのコアに用いる磁性体の磁化特性が温度により変化するため出力の安定性に問題がある.基本波型直交フラックスゲートでは,バイアス電流の通電方向を時間的に切り替える方法でオフセットの低減ができる.同様の方法で,温度変動に対するセンサ出力のドリフト抑制効果を検証し,その変動を約100分の1に低減可能であることを示した.