表面形状の異なるMo膜上へ近接昇華法を用いてAgAlTe₂の堆積を試みた。結果として近接昇華法を用いてMo層上にAgAlTe₂を堆積させることができた。但し下地となるMoの表面形状の影響を受けていることが明らかになった。今回用いた実験条件の範囲ではMoを真空蒸着法で堆積した際には、AgAlTe₂が作製できるが、スパッタ法で堆積したMoでは作製が出来ないということが明らかになった。Moの表面状態の違いが核形成に大きく影響していると考えられ、凸凹した表面形状の下地の方がAgAlTe₂が核成長しやすいと考えられる。