カーボンナノチューブ(Carbon Nanotube : CNT)はグラフェンシートが円筒型になっているナノスケールの物質である。螺旋度によって電気的特性が変化し、半導体的特性となるため微細デバイスを構成する材料として期待される。CNTデバイスを作製するために今回は集束イオンビーム(Focused Ion Beam : FIB)装置を用いた。FIB装置とはビームのイオン源にGaを用いて、試料を観察しながらイオンビーム堆積が可能である。本実験ではレーザ支援気固界面熱分解法によりリンドープCNTを生成する。その両端にPtをイオンビーム堆積しFIBによるGaイオン注入を局所的に行うことでCNTデバイスを作製する。そのV-I特性はダイオード特性を示した。