近年のパワーモジュールへの高性能・小型化の要求，SiC，GaNなどの次世代パワーデバイスの出現により、パワーモジュールの高温・高電圧環境下への適用が目指されている。著者らはガス絶縁とセラミック基板の複合絶縁を適用した高温高電圧用の新たなパッケージング技術を提案し，これまでパワーモジュールの試作，ならびに高温環境での特性評価を行ってきた。また高電圧環境への適用には，パワーモジュールの部分放電開始電圧(PDIV)の検討が必要である。本稿では，2種類の加熱方法を用いて，室温から300 ℃までの高温高電圧用ガス絶縁パワーモジュールのPDIVの温度依存性を評価したので報告する。