非架橋および異なる架橋度にシラン架橋させた架橋ポリエチレンに対し、テラヘルツ時間領域分光装置を用い0.7〜3.0THzで吸収スペクトルおよび複素誘電率を求め、また、フーリエ変換型テラヘルツ分光装置を用いて3.0 〜21.0THzにおいて吸収スペクトルを求めた。その結果、全試料で2.2THzにメチレン基を由来とするピーク、また16.5THzに非晶質領域を由来とするピークが観測された。さらに、Si-O結合に起因する13.2THzのピーク高さが架橋度の増大につれて上昇することを確認できた。