エポキシ樹脂は半導体素子の封止材として使用されてきた。近年、高温環境下での使用が期待されているSiC半導体や高輝度の照明用LEDなどの新型半導体が登場し、従来のエポキシ樹脂よりも高温環境下における絶縁性能を向上させたエポキシ樹脂が求められている。そこで、当研究グループでは高温環境下におけるエポキシ樹脂の絶縁性能を評価する為、エポキシ薄板試料とエポキシ薄板に数種類の加熱処理を施した試料にそれぞれ直流高電界を印加し、試料内部の空間電荷蓄積挙動をPEA法にて観察したので報告する。