本報告では，原料ガスを間歇投入した誘導熱プラズマを分光観測し，Si基板に照射される励起種の時間変化を測定した。さらに熱プラズマ照射後の基板表面をSEM観察し，ダイヤモンド粒子の生成の有無を調べた。 プラズマトーチ上部からArを流量65 slpmでシースガスを連続的に導入した．一方，H2を流量3 slpm, CH4を流量0.03 slpmで間歇供給した。 コイル下195 mmでのAr/CH4/H2 AMITPの分光観測結果を示す。 原料ガス間歇投入した場合においてもC2，Hスペクトルが強く観測できている。 C2，Hαスペクトル放射強度の時間変化を示す。 ダイヤフラムバルブが開いてから約50 ms後にC2，その約100 ms後にHαの発光が強く見られる。 プラズマを1 時間照射した後のSi基板表面のSEM画像から，ダイヤモンド粒子が生成していることが確認できる。