中性子変換ドーピング(NTD)はSiインゴットに中性子を照射し，一様なリン分布をもつ半導体を製造することができる．NTDを実現できる小型の装置として，同軸二重円筒型慣性静電閉じ込め核融合(CDC-IEC)装置を提案する．CDC-IECの中性子生成率(NPR)は装置に流れる電流の1乗に比例する．しかし直流動作による大電流化は，装置本体の温度が上昇しNPRの増加が鈍る恐れがある．よってCDC-IECをパルス駆動し，中性子生成率の向上を図った．ここではパルス波形入力による放電特性を報告する．ピーク電流を一定とし，重水素ガス圧力を変化させた時のパルス電圧・電流波形を測定した．ガス圧力が低くなるほどパルス電圧が高くなり，パルス電流の遅れ時間が長くなった．今後はNPRの測定を行う予定である．