これまで筆者らは, パルス変調誘導熱プラズマを用いて，Si基板表面上でのダイヤモンド膜生成実験をおこなってきた。 今回，Si基板への照射ラジカル量をより詳細に制御するために，新たに任意波形変調誘導熱プラズマを用いた。変調波形は三角波から鋸波までの三角形状とし，C₂，Hスペクトル放射強度への影響を検討した。 プラズマの分光観測結果から，立ち上がり継続時間比RRを変更するとC₂の放射強度の変化は小さいが，Hαの放射強度は大きく変化することが分かった。よって，立ち上がり継続時間比RRを変更することで，C₂分子の照射量を変化させずにH原子の照射量を制御できると考えられる。