元素半導体であるSiとGeは、ガリウムひ素（GaAs）やガリウム窒素（GaN）等の直接遷移型半導体とは異なり、電気伝導が間接遷移型半導体であるため発光しないと考えられている。なお例外として、ポーラスシリコン・ポーラスゲルマニウムの発光現象、ナノシリコン粒子の低温発光、量子井戸構造の発光素子などがある。ところが、香川大学の岡本研正教授は1989年にLED対LEDの双方向光空間通信を研究しているときに、Siフォトダイオード対Siフォトダイオードでも双方向光通信が可能なことを発見した。しかし、当時は高感度の近赤外線カメラがなかったため、その発光を観察することができなかった。 本研究ではオリジナルな近赤外光観察装置を開発し、従来発光しないとされてきたSi半導体が近赤外域で発光しているという事実について述べる。