薄膜型サーマルコンバータの交直差の低周波特性を改善するため、真空中で素子を動作させ、その特性評価を試みた。交直差の評価には低周波で高精度な測定が可能なサンプリング法を用いた。常圧と比較して真空中での特性は大幅に改善され0.2 Hzまで交直差は10 ppm以下であった。同時に、出力感度係数は0.9 V/Wから2.4 V/Wへ向上した。以上の結果から、真空中動作により薄膜型サーマルコンバータの低周波特性の改善が可能であることが実証された。