我々は、次世代半導体デバイス材料である炭化珪素（SiC）のインゴットからウェハへの加工方法として、ワイヤー放電加工法を用いた加工技術の研究を行っている。今回、加工時に排出される切粉が放電に関与しないようインゴットを回転させながら切断する方法を試験したので報告する。結果として2インチ径インゴットでは、無回転加工と同程度の速度を保ちながら、ワイヤーへの放電ダメージが軽減されていた。本結果は、インゴットの大径化に伴い、重要になると考えられる。また加工液として通常のイオン交換水ではなくフッ素系溶液を用いた加工の高速化試験も実施したので報告する。