著者の一人である岡本は2010年、SiやGeの接合型トランジスタの裸チップが可視域から近赤外域の光に対し顕著な光起電力効果を示すことを発見した。詳しく調べてみると、これらのトランジスタチップにおいてはエミッタ・ベース間接合およびコレクタ・ベース間接合がともに高感度なフォトダイオードとして動作すること、しかもエミッタ側またはコレクタ側の一方から光を当てた場合、反対側の接合でも受光できることが分かった。本論文ではSiおよびGe接合型トランジスタチップの受光特性について述べる。