絶縁ゲートドライブによるフライバックコンバータを作製し，1MHzでのスイッチング動作を達成した．その際，広帯域の絶縁ゲートドライバを選定，特注のパルストランスのほか，研究供与される大電流・耐電圧のSiC製MOSFET(900V/10A)を用いて，その工学的応用を図っている．また回路内各部の電圧・電流の6チャンネル同時観測を行い，詳細な現象の検証ならびに電力変換効率を算出した．得られた電力変換効率は71%程度であり，まだ充分ではないが，電源回生型スナバ回路やソフトスイッチング技術の導入により，その改善が期待できる．